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維管晶振補償網絡驅動牽引網絡,調整振蕩器的頻率

來源：http://m.arucbtxo.cn 作者：億金電子 2022年05月18
    實現這一目標的方法隨著時間的推移而發生了變化。最早使用的方法之一是直接補償技術，其中使用熱敏電阻、電容器和電阻器網絡直接控制振蕩器的頻率。溫度的變化會導致熱敏電阻發生變化，從而導致網絡的等效串聯電容發生變化——這反過來會改變晶體上的電容負載，從而導致頻率的變化振蕩器。
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    熱敏電阻（RT1至RT3）和電阻器（R1至R3）網絡用于產生與溫度相關的電壓。網絡的輸出電壓經過濾波，然后用于驅動變容二極管，該變容二極管改變晶體兩端的負載，再次導致頻率變化。
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    當前的方法將補償網絡和拉動網絡集成到一個集成電路中，補償網絡的作用由一組運算放大器發揮作用，這些運算放大器相加在一起會在整個溫度范圍內產生3階或5階函數。與間接補償方法一樣，該電壓用于驅動變容二極管，進而改變振蕩器的輸出頻率。由于晶體特性的變化意味著不存在“一刀切”的功能，因此該解決方案是在TCXO的溫度測試期間得出的。使用兩個電容陣列將室溫下的頻率調整到標稱值，然后在測試過程中獲得溫度補償功能所需的設置并存儲在片上存儲器中。
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    TCXO晶振對工程師很有用，因為它們可以在任何地方獲得比標準VCXO高10倍到40倍的溫度穩定性，同時具有相同的功耗和電路板上的占位面積。TCXO彌合了標準XO或VCXO與OCXO之間的差距，后者更昂貴且需要更多功率才能運行。技術的推動力是降低功耗，當然還有降低成本，因此TCXO為功率和成本敏感的應用提供了良好的中檔解決方案。
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