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首頁進(jìn)口晶振石英晶體NZ2520SEA,NDK晶振,日本進(jìn)口有源晶振

石英晶體NZ2520SEA,NDK晶振,日本進(jìn)口有源晶振

  • 頻率:2.75~54MHZ
  • 尺寸:2.5*2.0mm
  • 應(yīng) 用: 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于安防監(jiān)控系統(tǒng)、智能手機(jī)、衛(wèi)星GPS、汽車音響、車載電臺(tái)、汽車防盜報(bào)警系統(tǒng).
  • RoHS RoHS2

            石英晶體NZ2520SEA,NDK晶振,日本進(jìn)口有源晶振石英晶體振蕩器在設(shè)計(jì)時(shí)就與各款型號(hào)IC匹配等相關(guān)技術(shù),使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過程必須要解決的技術(shù)難題.在設(shè)計(jì)過程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等有它的特殊性,必須考慮振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù).

型號(hào) NZ2520SEA
包裝(pcs) 1000
頻率范圍(MHZ) 2.75 to 54
頻率公差 Max. ±25 ×10-6 Max. ±50 ×10-6 Max. ±100 ×10-6
工作溫度 0 to +70 0 to +85 0 to +85
保存溫度 –55 to +125
電源電壓(V) +2.5 ± 5 %, +3.3 ± 10 %

電流消耗
Enable (mA) Max. 60 (Typ. 36) (STAND-BY=VCC or OPEN, RL=50Ω)
Stand-by (μA) Max. 30 (STAND-BY=GND)
輸出電壓(V) VOL : VCC –1.81 to VCC 1.62 (DCcharacteristics)
VOH : VCC –1.025 to VCC –0.88    (DC characteristics)
上升/下降時(shí)間(單位:納秒) Max. 1 (20 to 80% Waveform)
對(duì)稱(%) 45 to 55 (at 50% Waveform)
輸出負(fù)載(Ω) 50 (Terminated to VCC–2.0V)
相位抖動(dòng) Max. 1 (Offset frequency : 12kHz to 20MHz)




所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1:抗沖擊
抗沖擊是指產(chǎn)品晶體可能會(huì)在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請(qǐng)勿使用.因?yàn)闊o論何種晶體產(chǎn)品,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會(huì)給晶振照成不良影響.
2:輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時(shí)間的照射.
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件.請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作.

        NDK晶體承諾所有的運(yùn)作皆遵守本地國家的法律,并符合國際上所共同認(rèn)知環(huán)保與社會(huì)責(zé)任的標(biāo)準(zhǔn),成為一個(gè)創(chuàng)造股東最大權(quán)益、照顧員工、善盡社會(huì)責(zé)任的好公司.
我們將持續(xù)關(guān)注企業(yè)社會(huì)責(zé)任各項(xiàng)新議題,使本公司更加完整并落實(shí)企2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗(yàn)證,秉持“污染預(yù)防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項(xiàng)排放檢測(cè)數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國際大廠對(duì)于綠色生產(chǎn)及綠色產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY  綠色伙伴(Green Partner)驗(yàn)證.    


NDK的發(fā)展:
1948 年  在東京都中央?yún)^(qū)日本橋設(shè)立南部商工株式會(huì)社
1949 年  開始晶體諧振器的制造、銷售
1950 年  公司名變更為日本電波工業(yè)株式會(huì)社
          總公司遷移登記至東京都涉谷區(qū)大山町
1954 年  建設(shè)、遷移總公司及工廠至東京都涉谷區(qū)代代木新町(現(xiàn)為 涉谷區(qū)西原)
1959 年  開始晶體濾波器的制造
1960 年  開始晶體振蕩器的制造
1976 年  在宮城縣古川市(現(xiàn)為 大崎市)建立古川NDK株式會(huì)社
1979 年  在馬來西亞建立Asian NDK Crystal Sdn. Bhd.
          為取得更大發(fā)展而解散美國辦事處,設(shè)立NDK America, Inc.
1985 年  狹山事業(yè)所主樓竣工
1986 年  在愛知縣岡崎市設(shè)立中部營業(yè)所
          在馬來西亞建立Malaysian Quartz Crystal Sdn. Bhd.(現(xiàn)為 NDK Quartz Malaysia Sdn. Bhd.)
          狹山事業(yè)所新館竣工
2002 年  NDK America, Inc. 的總公司辦公室搬至美國伊利諾斯州
          在美國伊利諾斯州成立NDK America, Inc.
          在北海道函館市建立NRS Technologies Inc.
          在中國上海設(shè)立日電波水晶(上海)貿(mào)易有限公司
2004 年  在北海道千歲市成立千歲技術(shù)中心
2005 年  函館NDK吸收合并NRS Technologies Inc.
          總公司搬至東京都涉谷區(qū)笹塚


             億金電子致力于:以先進(jìn)壓電石英晶體元器件,晶振,有源晶振,陶瓷晶振,表晶32.768K等器件的專業(yè)開發(fā)生產(chǎn)為主的經(jīng)營發(fā)展之路.重點(diǎn)開發(fā)和生產(chǎn)中高精密的晶體諧振器,普通晶體振蕩器(PXO),壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO),恒溫晶體振蕩器(OCXO),貼片晶振,陶瓷諧振器等.產(chǎn)品主要面向?yàn)閲鴥?nèi)通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,GPS,車載多媒體,電腦主板,筆記本,電子數(shù)碼選擇應(yīng)用領(lǐng)域,以及出口的海外客戶需求.我們除在本地建有工廠,聯(lián)合產(chǎn)品實(shí)驗(yàn)室和簽約配套協(xié)作廠商外.公司還代理銷售日本進(jìn)口石英晶振,陶瓷晶振系列.企業(yè)同時(shí)擁有萬級(jí)的晶體元件超凈生產(chǎn)間,并且從國外引進(jìn)業(yè)界領(lǐng)先的晶振自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng),日本全自動(dòng)生產(chǎn)檢測(cè)電腦儀器設(shè)備,和瑞士ERC公司銣原子頻標(biāo)的工廠頻率基準(zhǔn),頻譜分析儀,網(wǎng)絡(luò)分析儀,合成信號(hào)源等高端儀器設(shè)備.

聯(lián)系人:鐘洋公司:深圳市億金電子有限公司
 SHENZHEN YIJIN ELECTRONICS CO;LTD
電話:0755-27876565
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