晶振普遍由石英材質(zhì)或者陶瓷材質(zhì)加上內(nèi)部的晶片組合而成，而晶振的頻率大小取決于晶片的厚度影響。首先，在制作工藝來講，晶片大小以及晶片厚薄與晶振的頻率密切相關(guān)，一般來講，石英晶振的頻率越高，需要的石英晶片越薄。
  比如40MHz的石英晶體所需的晶片厚度是41.75微米，這樣的厚度還算可以做到，但100MHz的石英晶體，所需的晶片厚度則是16.7微米。即使厚度可做到但損耗非常高，製成成品後輕輕一跌晶片就碎裂。所以一般在高頻的晶體就要采用三次泛音、五次泛音、七次泛音的技術(shù)來達(dá)到了。比如基頻為20MHz的晶體，五次泛音之后就可以得到100MHz的晶體。 一般以經(jīng)驗(yàn)來講，40MHz以下基本都是基頻晶振，而40MHz以上，則是泛音晶振了。因此，我們不難理解，為什么很多有源晶振頻率基本都算高頻的，并且成本也相對(duì)比較貴，有源晶振的成本除了內(nèi)部晶片較薄以外，再就是自身有加一個(gè)振蕩片。
  那么基頻晶振和泛音晶振在使用上又會(huì)有什么不同了？?jī)烧咴谑褂蒙峡隙ㄊ怯袇^(qū)別的，比如基頻的晶體，只需要接入適當(dāng)?shù)碾娙菥涂梢怨ぷ鳎阂艟д駝t需要電感和電容配合使用才可振出泛音頻率，否則就只能振出基頻了。
  作為discoverIE Group plc的一部分，通過我們的獨(dú)立分銷合作伙伴，ACT可以在全球范圍內(nèi)支持您的頻率控制要求。我們不僅僅是頻率控制，以工程為主導(dǎo)的技術(shù)支持，定制設(shè)計(jì)/非標(biāo)準(zhǔn)頻率，晶體和微控制器匹配服務(wù)，樣品庫(kù)存，位于英國(guó)的內(nèi)部技術(shù)實(shí)驗(yàn)室，廣泛而成熟的全球分銷網(wǎng)絡(luò)，全面的售后支持，庫(kù)存管理，通過ISO9001和TS16949認(rèn)證，靈活性 - 快速周轉(zhuǎn)時(shí)間，低MOQ，廣泛的產(chǎn)品。
  無論您需要新技術(shù)，如M-SAC增強(qiáng)型振蕩器，還是簡(jiǎn)單的基本晶體，我們的工程團(tuán)隊(duì)都將幫助您為您的應(yīng)用選擇合適的解決方案，并在整個(gè)設(shè)計(jì)周期和生產(chǎn)過程中為您提供支持。英國(guó)艾西迪晶振,752 SMX-2晶振,7050二腳晶振

Parameters		Specification	Remarks
Frequency	F_nom	6.0MHz ~ 125.0MHz
Frequency tolerance	F_tol	±30.0ppm ~ ±50.0ppm	At  25°C ± 3°C, For ±5ppm please enquire
Operating temperature range	T_use	0°C ~ +50°C  -40°C ~ +85°C
Storage temperature	T_stg	-40°C ~ +85°C
Turnover temperature	Ti	Table 1
Load capacitance	CL	8pF ~30pF
Equivalent series resistance	ESR	300μW max	100μW typical
Frequency aging	F_age	±5.0ppm max	For ±1.0ppm please enquire

  英國(guó)艾西迪晶振,752 SMX-2晶振,7050二腳晶振根據(jù)我們對(duì)晶振的了解,總結(jié)出以下幾點(diǎn)的保存方法：
  1.要考慮到周圍的潮濕度.得做好防擠壓措施,放在干燥通風(fēng)的地方,讓晶體避免受潮導(dǎo)致其他參數(shù)發(fā)生變化.
  2.前面也說過,晶振是一種易碎的元器件,所以防震措施也是很重要的,不宜放在較高的貨架上,在使用的過程中,也不宜讓晶振跌落,一般來說,從高空跌落的石英晶振不應(yīng)再次使用.
  3.對(duì)于需要剪腳的圓柱晶振,應(yīng)該注意機(jī)械應(yīng)力的影響.
  4.石英晶振在焊錫過程中,其焊錫的溫度不宜過高,焊錫時(shí)間也不宜過長(zhǎng),防止晶體因此發(fā)生變化而生產(chǎn)各種參數(shù)不穩(wěn)定.
  5.焊錫之后要對(duì)晶振進(jìn)行清洗,以免絕緣電阻不符合要求.
  6.要保證兩條引腳的焊錫點(diǎn)不相連,否則也會(huì)導(dǎo)致晶體停振.
  7.晶振外殼接地時(shí),要確外殼和引腳不被意外連通而導(dǎo)致短路,從而導(dǎo)致晶振不起振.